[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-13] InAs/GaAs(111)A系におけるひずみ緩和と成長様式に関する理論検討

〇伊藤 智徳¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹ (1.三重大院工)

キーワード：半導体、ヘテロエピタキシャル成長