[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-15] MBE成長中InAs-GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化

〇小西 智也¹、塚本 史郎¹、伊藤 智徳²、秋山 亨²、海田 諒² (1.阿南高専、2.三重大院工)

キーワード：表面再構成、その場STM、分子線エピタキシー

量子ドット(QD)を用いた次世代デバイスの高性能化にはQDの規則化・高密度化が必要不可欠であり、MBEにおけるQD核生成サイトの予測や制御にむけた成長過程の解明が望まれる。ここでQD核生成の要因となる組成やひずみの局所ゆらぎは、表面再構成分布と密接な関係にある。そこで我々はMBE成長中におけるInAs-GaAs(001)表面上の(n×3)再構成領域に着目し、nがどのように変化するかを調べた。