[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-5] 高温/低温2段成長によるGaSbバッファ層表面モフォロジーの向上

〇奥村 滋一¹、苫米地 秀一¹、鈴木 僚¹、松倉 祐輔¹、角田 浩司¹、今 純一¹、西野 弘師¹ (1.富士通研)

キーワード：ガリウムアンチモン、分子線エピタキシー、原子間力顕微鏡

GaSb基板上のGaSbバッファ層の表面モフォロジーに着目し、MBE成長シーケンスを変えて検討した。その結果、高温で成長したGaSb表面は初期の凹凸を十分に平坦化できている一方で、表面にピットが残る。一方で低温で成長したGaSb表面は平坦化は不十分であるものの、ピットは消失する。そこで、GaSb層を高温で成長後、低温で成長することにより、平坦かつピットのない表面が得られた。