[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-11] 窒化したSiC MOSFET に対するチャージポンピング特性の周波数依存性

〇王 緒昆¹、岡本 大¹、原田 信介²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：界面欠陥、SiC MOSFET、チャージポンピング

4H-SiC MOSFET においては、SiO2/4H-SiC 界面に存在する界面トラップの影響によるチャネル移動度の劣化が長年問題となっている。SiO2/4H-SiC 界面に存在するトラップの性質の理解は未だ十分ではなく、界面欠陥を正確に評価し、界面物理を理解する必要がある。本研究においては、チャージポンピング(Charge Pumping: CP)法に着目し、CP 電流のパルス立ち上がり・立下り時間依存性、およびCP 電流の周波数依存性によって、異なる窒化条件で作製した4H-SiC MOSFET の評価を試みた。この方法は、界面準位が電子あるいは正孔を捕獲、放出する際に流れる基板電流を測定する方法である。そのため、周波数依存性から界面近傍酸化膜トラップ(Near Interface Trap: NIT)の性質を解明することが期待できる。