[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-3] 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の界面酸化プロセス依存性の共焦点顕微鏡評価

〇阿部 裕太¹、岡本 光央²、小杉 亮治²、原田 信介²、波多野 睦子³、岩崎 孝之³、小野田 忍⁴、春山 盛善^4,5、加田 渉⁵、花泉 修⁵、大島 武⁴、梅田 享英¹ (1.筑波大、2.産総研、3.東工大、4.量研機構、5.群馬大)

キーワード：4H-SiC、MOSFET、単一光子源

単一光子源（SPS）は共焦点顕微鏡を用いて集中的に研究されている。その典型的な例として、ダイヤモンド中のNV中心が挙げられる。近年、室温で明るいのSPSがSiC中でも発見されており、我々も理想的なSPSが4H-SiCのMOSFETのSiC-SiO₂界面に形成されていることを発見した。本研究では、共焦点顕微鏡を用いて4H-SiCのMOSFETの中のSPSの酸化プロセス依存性を調べ、SiC-MOS界面でのSPS形成について議論する。