[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-2] 熱酸化SiO₂/SiC界面遷移層の評価

〇永井 龍¹、蓮沼 隆¹、山部 紀久夫¹ (1.筑波大)

キーワード：SiC、絶縁膜、SiO2/SiC界面