[16a-D61-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16a-D61-6] X線回折によるGe_1-xSn_x エピタキシャル膜内組成の深さ分布の推定

〇広沢 一郎¹、須田 耕平²、澤本 直美²、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、大下 祥雄⁴、小椋 厚志² (1.高輝度光科学研究セ、2.明治大、3.気相成長(株)、4.豊田工大)

キーワード：X線回折、GeSn

SPring-8のBL19B2で測定したGe(001)基板にMOCVDで製膜したSbドープGe_1-xSn_x膜の004回折近傍のX線回折プロファイルよりエピタキシャル膜内の組成分布を推定する手法について検討した。測定されたプロファイルは膜の表面側10-20層部分の格子定数が他の部分よりも大きくSn濃度が高いことを示唆する結果となった。この結果はSIMS測定より得られたSn濃度分布と定性的に一致していることから、エピタキシャル膜内組成の深さ分布推定にX線回折の有用性を示すものと考えられる。