[16a-P3-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-P3-8] Light absorption characteristics of GaAsN layers grown by RF-MBE

〇Takuya Kurosawa¹, Takuya Osaka¹, Ryuki Taniguchi¹, Akimi Yamane¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ, 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, Absorption coefficient, Bandgap Energy

GaAsNはN組成に応じてバンドギャップエネルギー(Eg)が大きく非線形的に変化するバンドギャップボウイングという特性を持つ。この特性によりGaAsよりも長波長側の光を吸収することができるので、タンデム型太陽電池の作製に有効である。そこで、本研究では、RF-MBE法によってGaAsN層を成長し、太陽電池の特性と密接に関係する透過・吸収測定によってGaAsN層を評価した結果を報告する。