[16a-P3-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-P3-8] RF-MBE法を用いて成長したGaAsN層の光吸収特性

〇黒澤 拓也¹、尾高 拓弥¹、谷口 龍希¹、山根 陽美¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN、吸収係数、バンドギャップエネルギー

GaAsNはN組成に応じてバンドギャップエネルギー(Eg)が大きく非線形的に変化するバンドギャップボウイングという特性を持つ。この特性によりGaAsよりも長波長側の光を吸収することができるので、タンデム型太陽電池の作製に有効である。そこで、本研究では、RF-MBE法によってGaAsN層を成長し、太陽電池の特性と密接に関係する透過・吸収測定によってGaAsN層を評価した結果を報告する。