[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16a-P5-10] 低温下におけるⅢ族窒化物ナノワイヤの埋め込み成長に関する研究

〇(M1)澁谷 弘樹¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究室センター)

キーワード：ナノワイヤ

GaNナノワイヤは非極性面であるm面を主面に持つ貫通転位フリーの微小結晶であり、その上にCore-Shell型 MQWを作製することで新規のLEDやレーザの実現が期待される。この発光層へ均一に電流注入を行うための電流拡散層として低抵抗のn-GaNを用いることが有効であると考え、実験を行った。結果、高V/III比において良好な埋め込み形態が得られた。成長条件の更なる最適化により、完全な平坦面を形成できる可能性が示された。