[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-12] AlN/SiCおよびGaN/SiC極性界面の構造安定性に関する理論的検討：歪み緩和の影響

〇秋山 亨¹、中根 晴信¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：第一原理計算、SiC