[16a-P5-1~32] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-P5-14] Optical sites in Eu- and Mg-codoped GaN grown by NH₃-MBE

〇Hiroto Sekiguchi¹, Masaru Sakai², Hiroki Tateishi¹, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech., 2.Univ. Yamanashi)

Keywords:rare-earth doped GaN, Eu, photoluminescence

NH₃-MBE法により成長したEu,Mg共添加GaNの発光サイトを評価するため，共鳴励起および間接励起によりEuイオンを励起しその発光スペクトルの解析を行った。PL-PLEマッピング測定を行ったところ，母材励起による間接励起法で観測されていた発光サイト(発光ピーク)に加えて，少なくとも4つの新たな発光サイトが観測された。また高い励起効率を示すサイトA(622.3nm,633.8nm)は全体の積分強度の22%であることが明らかとなった。