[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-14] NH₃-MBE法により作製されたEu,Mg共添加GaNの発光サイト評価

〇関口 寛人¹、酒井 優²、立石 紘己¹、若原 昭浩¹ (1.豊技大、2.山梨大)

キーワード：希土類添加窒化物半導体、Eu、PL

NH₃-MBE法により成長したEu,Mg共添加GaNの発光サイトを評価するため，共鳴励起および間接励起によりEuイオンを励起しその発光スペクトルの解析を行った。PL-PLEマッピング測定を行ったところ，母材励起による間接励起法で観測されていた発光サイト(発光ピーク)に加えて，少なくとも4つの新たな発光サイトが観測された。また高い励起効率を示すサイトA(622.3nm,633.8nm)は全体の積分強度の22%であることが明らかとなった。