[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-18] 高温N₂雰囲気アニール処理をしたAlNテンプレート上へのAlN及びAlGaN(Al>0.5)の再成長

〇三嶋 晃¹、池永 和正¹、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、三宅 秀人² (1.大陽日酸(株)、2.三重大)

キーワード：有機金属気相成長法、窒化アルミニウム、高温アニール

深紫外用LEDの性能向上には、高品質化なAlNとAlGaNの下地層が要求される。近年、AlN下地層をN₂-CO雰囲気下で高温アニール処理をすることによって高品質化することが報告されている。我々はMOCVDで成長したc面サファイア上AlNをN₂雰囲気でアニール処理を行い、さらにその上にMOCVDを用いてAlNとAl_0.6Ga_0.4Nの再成長を行いその特性を調査した。