[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-25] Si(110)基板上にAlN薄膜のMOCVD成長と評価

〇沈 旭強¹、高橋 言緒¹、井手 利英¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物、AlN、MOCVD

Si(110)基板は現在良く使われているSi(111)基板と比べ格子配列の異方性があり、AlNとの格子常数のミスマッチが[1-100]方向に0.74％（Si(111)基板の場合19％）しかない。その特徴を生かし高品質なAlN薄膜（単なる隔離層役ではない）の成長が期待できる。今回、我々はSi(110)基板上にAlN薄膜の成長と評価を行ったので、その結果を報告する。