[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-27] UHVスパッタエピタキシー法によるSiドープGaN単結晶層の成長

〇吉村 翼¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタ、GaN