[16a-P5-1~32] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-P5-6] InGaN growth mode analysis by in-situ laser scattering

〇(M2)Ryosuke Miyagoshi¹, Zhibin Liu¹, Tetsuya Yamamoto¹, Kentaro Nagamatsu², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.ARC, 4.VBL)

Keywords:InGaN, In-situ

高効率な黄～赤色発光デバイスを実現するために必要な高In組成InGaN結晶成長において、表面モフォロジー観察や成長モード制御のためのその場観察による解析が有効であると考えられる。我々はこれまでに多波長レーザを用いた散乱光強度解析により、InGaN成長中のIn取り込みおよびInドロップレット形成とH₂による除去について報告してきた。本研究では成長レート変化に伴う成長モード変化のその場観察による解析を行ったので報告する。