[16a-P5-1~32] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-P5-7] Observation of In wetting layer during growth of InGaN using an in-situ laser scattering

〇(M2)Tetsuya Yamamoto¹, Kentaro Nagamatsu², Maki Kushimoto¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.ARC, 4.VBL)

Keywords:in-situ, In wetting layer, InGaN

我々は多波長レーザを用いて、窒化物半導体の有機金属気相成長における成長中のその場観察を行っている。本その場観察手法は、表面粗さに起因するレーザ散乱とバンド間遷移に起因するレーザ吸収を測定することにより、表面粗さとInGaN混晶へのIn取込みを評価することが可能である。本講演では、レーザ散乱その場観察を用いて、異なる基板温度におけるInウェッティングレイヤー形成のその場観察を行った。