[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-6] レーザ散乱光強度その場観察によるInGaN成長モードの解析

〇(M2)宮越 亮輔¹、劉 志彬¹、山本 哲也¹、永松 謙太郎²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.未来材料システム研究所、3.赤﨑記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：InGaN、その場観察

高効率な黄～赤色発光デバイスを実現するために必要な高In組成InGaN結晶成長において、表面モフォロジー観察や成長モード制御のためのその場観察による解析が有効であると考えられる。我々はこれまでに多波長レーザを用いた散乱光強度解析により、InGaN成長中のIn取り込みおよびInドロップレット形成とH₂による除去について報告してきた。本研究では成長レート変化に伴う成長モード変化のその場観察による解析を行ったので報告する。