[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-7] InGaN成長中のInウェッティングレイヤーのレーザ散乱による観察

〇(M2)山本 哲也¹、永松 謙太郎²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.未来材料システム研究所、3.赤崎記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：その場観察、Inウェッティングレイヤー、InGaN

我々は多波長レーザを用いて、窒化物半導体の有機金属気相成長における成長中のその場観察を行っている。本その場観察手法は、表面粗さに起因するレーザ散乱とバンド間遷移に起因するレーザ吸収を測定することにより、表面粗さとInGaN混晶へのIn取込みを評価することが可能である。本講演では、レーザ散乱その場観察を用いて、異なる基板温度におけるInウェッティングレイヤー形成のその場観察を行った。