[16p-A21-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-A21-5] Passivation effect of ozone water treatment on InGaN/GaN nanostructures fabricated by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE)

〇Kohei Ogawa¹, Tomoya Mizutani¹, Shun Ishijima¹, Yusuke Namae¹, Akihiro Matsuoka¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Nanotechnology Research Center)

Keywords:nitride semiconductor, nano structure, passivation

水素雰囲気中におけるGaNの熱分解反応を利用した低加工損傷のエッチング技術である水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)で作製したInGaN/GaN系ナノ構造に対して、飽和オゾン水を用いたパッシベーションを提案し、その効果を調査した。