[16p-A21-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-A21-6] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製した単一InGaN/GaNナノピラーの室温発光

〇五十嵐 佳苗¹、水谷 友哉¹、石嶋 駿¹、小川 航平¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：窒化物半導体、ナノ構造