[16p-A22-1~6] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [16p-A22-5] Electrochromic Properties of MBE Grown Single-Crystalline WO₃ Films (2)

〇Takayuki Murayama¹, Wataru Kuwagata¹, Yoshiyuki Harada¹, Kazuto Koike¹, Shigehiko Sasa¹, Mitsuaki Yano¹, Katsuhiko Inaba², Shintaro Kobayashi² (1.Osaka Inst. of Tech., NMRC, 2.Rigaku X-ray Res. Lab)

Keywords:WO3, MBE, Electrochromic

前回我々は，r面サファイア基板上にMBE法で成膜したmonoclinic (γ) WO₃薄膜を溶液ゲートタイプのエレクトロクロミック素子へ加工して，バイアス印加によるプロトンのインターカレーション効果を調べた．今回，我々はr面サファイア基板上に基板温度200℃の低温でMBE成長を行い，アモルファス膜を準備し，単結晶膜の結果と比較した．