[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-B1-1] プラズマ励起原子層堆積保護膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化

〇鈴木 貴之¹、山田 富明¹、河合 亮輔¹、川口 翔平¹、張 東岩¹、岩田 直高¹ (1.豊田工大)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、原子層堆積

AlGaN/GaNヘテロ接合を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は，マイクロ波通信および電力制御用のパワーデバイスとして好適である．しかしながら，高密度の表面準位により，ドレイン電流の減少などの特性劣化が生じる．AlGaN/ GaN HEMT特性の安定化に向けては，表面保護膜が広く議論されているものの^[1] ，化学気相成長法による成膜では表面未結合手の良好な終端は困難である．今回我々は，未結合手の終端に優れるプラズマ励起原子層堆積(PEALD)法を用い， SiN_xまたはAl₂O₃の素子表面への保護膜効果を評価したので報告する．