[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-B1-10] フッ素系中性粒子ビームで処理したGaN HEMTエピ表面の分析

〇市川 弘之¹、野田 周一²、眞壁 勇夫¹、井上 和孝¹、肥後 昭男³、寒川 誠二^2,3 (1.住友電工伝送デバイス研、2.東北大流体研、3.東北大WPI-AIMR)

キーワード：中性粒子ビーム、GaN HEMT