[16p-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16p-B1-11] Study of contact resistance reduction on ohmic contacts with uneven AlGaN layers for AlGaN/GaN HEMT structures

〇(M1)Takumi Watanabe¹, Takuya Hoshii¹, Yusuke Takei¹, Tomohiro Shimoda¹, Kazuo Tsutsui¹, Wataru Saito², Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Hiroshi Iwai¹ (1.Tokyo Inst., 2.Toshiba.)

Keywords:HEMT structures, Ohmic contact, AlGaN / GaN

AlGaN/GaN HEMTの低抵抗オーミックコンタクト技術では、電子に対する障壁性と2DEGの高濃度誘起作用をもつAlGaN層の厚さはトレードオフである。これを克服する方法として、抵抗低減をはかる技術を提案した。凹凸構造の平面パターン形状が電極への電流の流入方向と平行なストライプ形状の場合に、パターンの微細化で低抵抗化の促進を示した。この傾向を説明するモデル化を行い、加工形状についても考察する。