[16p-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16p-B1-12] Effect of Metal Electrode Process on Breakdown Voltages in AlGaN/GaN HEMTs

〇Shinya Makino¹, Shintaro Ohi¹, Taisei Yamazaki¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.University of Fukui)

Keywords:AlGaN/GaN HEMT, Breakdown voltage, Metal electrode process

AlGaN/GaN HEMTは高耐圧、低損失のパワースイッチング用デバイスとして期待されている。パワースイッチング用デバイスの開発では、オン抵抗の低減のため、出力電流の高電流化が重要となる。しかし、高出力電流のためにゲート幅を大きくすると、耐圧が劣化する傾向が見られた。この原因を明らかにするため、本研究では、電極形成プロセスのリフトオフ時の超音波洗浄時間とオーミック電極の熱処理温度が耐圧に与える研究について検討した。