[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-B1-13] フェムト秒レーザー照射によるＭｇドープｐ-ＧａＮ層の局所活性化

〇(M1)中島 陸¹、森 拓磨¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、谷川 達也² (1.名工大工、2.アイシン精機)

キーワード：窒化物半導体、フェムト秒レーザー