[16p-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16p-B1-7] Effect of SiN surface passivation in AlGaN-based HFET type photosensors

〇Saki Ushida¹, Akira Yoshikawa^1,3, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Fac.Sci & Tec.,Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ., 3.Asahi-Kasei)

Keywords:nitride semiconductor, photosensor

窒化物半導体系材料では表面電荷の問題が報告されており、また表面パッシベーションがデバイス性能に重要であることが報告されている。本グループではソーラーブラインドのAlGaN系HFET型光センサを実現しているが、光照射後に暗電流レベルまで下がるまでにsecオーダーの遅い緩和過程があることが確認された。これに対してSiNxを蒸着することでこの問題を解決し、応答速度の改善を実現した。