[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-B1-7] AlGaN系HFET型光センサのSiNxパッシベーション効果

〇牛田 彩希¹、吉川 陽^1,3、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.旭化成)

キーワード：窒化物半導体、光センサ

窒化物半導体系材料では表面電荷の問題が報告されており、また表面パッシベーションがデバイス性能に重要であることが報告されている。本グループではソーラーブラインドのAlGaN系HFET型光センサを実現しているが、光照射後に暗電流レベルまで下がるまでにsecオーダーの遅い緩和過程があることが確認された。これに対してSiNxを蒸着することでこの問題を解決し、応答速度の改善を実現した。