[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-B1-8] AlGaN/GaN HEMTにおける中性粒子ビームエッチングの素子間リーク電流および素子間耐圧への影響

〇邉見 ふゆみ¹、Thomas Cedric²、Lai Yi-Chun³、肥後 昭男³、Guo Alex⁴、Warnock Shireen⁴、del Alamo Jesus A.⁴、寒川 誠二^2,3、尾辻 泰一¹、末光 哲也¹ (1.東北大通研、2.東北大流体研、3.東北大AIMR、4.MIT MTL)

キーワード：中性粒子ビーム、プラズマダメージ、AlGaN/GaN HEMT