[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-3] ミニマルCVD装置におけるシリコンエピタキシャル成長の輸送現象

〇松尾 美弥¹、羽深 等¹、山田 彩未¹、李 寧¹、三ケ原 孝則²、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマル、3.産総研)

キーワード：ミニマル・マニュファクチャリング、シリコンエピタキシャル成長、移動現象

「必要なものを・必要な時に・必要な量だけ生産する持続可能な生産システム」として、小さなウエハによる半導体生産システム「ミニマル・マニュファクチャリング」（MM）が提案され、我々はMMに用いるためのCVD装置を製作し、シリコン薄膜成長プロセスを開発した。今回は、CVD装置内の移動現象を数値計算により解析し、特徴を把握したので、詳細を報告する。