[16p-B3-1~9] 6.5 表面物理・真空

[16p-B3-7] Si(001)表面上のCO分子の吸着構造と振動モードの解析

〇大野 真也¹、清水 正太郎¹、田中 一馬¹、田中 正俊¹、吉本 真也²、吉信 淳² (1.横国大院工、2.東大物性研)

キーワード：半導体、化学吸着、一酸化炭素

本研究では、透過FT-IRを用いてSi(001)表面上におけるCOの吸着過程を調べた。我々は、吸着COに対応する三つの成分(Peak A, Peak B and Peak C)を見出した。Peak AとPeak Bは、それぞれ隣接するCO分子ペアによる対称伸縮振動と逆対称伸縮振動に帰属できる。Peak Cは、C欠陥などの欠陥構造に起因すると考えている。