[16p-B7-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [16p-B7-5] p層上に堆積したintrinsic a-Si:H中のSi-H₂/Si-H結合比に対する界面の影響

〇(M2)毛屋 公孝¹、田中 和真¹、小島 尚¹、都甲 将¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九州大学)

キーワード：水素化アモルファスシリコン、P/I界面、ラマン分光法