[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16p-C302-3] 界面近傍のSiO₂微視的構造とMOS界面の電気特性から見た4H-SiC m面のウェット酸化により形成されたMOS界面の特徴

〇黒山 滉平¹、平井 悠久¹、山本 建策²、林 真理子²、喜多 浩之¹ (1.東大院工、2.(株)デンソー)

キーワード：SiC