[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16p-C302-8] TDMASを用いたALD-SiO₂ゲート絶縁膜のSiC-MOSキャパシタ特性

〇(B)金子 喬¹、雷 一鳴¹、若林 整¹、筒井 一生²、岩井 洋²、角嶋 邦之¹、古橋 壮之³、友久 伸吾³、山川 聡³ (1.東工大工、2.東工大科学技術創成研究院、3.三菱電機株式会社)

キーワード：炭化ケイ素、絶縁膜、原子層堆積