[16p-D61-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [16p-D61-10] Photoluminescence property of multi-stacked structure of Ge quantum dots utilizing C-Si reaction

〇(D)Yuhki Itoh^1,2, Tomoyuki Kawashima¹, Katsuyoshi Washio¹ (1.Tohoku Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:quantum dots, germanium, carbon

C-Si 反応によるc(4×4)表面再構成を利用して形成した自己組織化Ge 量子ドット(QD)の積層化を検討している。本報告では、Ge QDとSi スペーサの交互積層構造の形成条件による室温PL 特性の変化について考察した。