Nugraha Mohamad Insan

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発表者・著者、共著者

2016年3月19日(土) 09:00 〜 11:45 S224 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.6 Semiconductor English Session

[19a-S224-1~10] 13.6 Semiconductor English Session

10:30 〜 10:45

▲ [19a-S224-6] Effect of Gate Dielectrics on Trap Density in PbS Nanocrystal Field-Effect Transistors

〇(D)Nugraha Mohamad Insan^1,2、Matsui Hiroyuki¹、Hausermann Roger¹、Bisri Satria Zulkarnaen³、Sytnyk Mykhailo⁴、Heiss Wolfgang⁴、Loi Maria Antonietta²、Takeya Jun¹ (1.Univ. Tokyo、2.Univ. Groningen、3.RIKEN、4.Univ. Linz)

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