大野力一

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発表者・著者、共著者

2016年3月21日(月) 13:15 〜 16:45 H112 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

13:15 〜 13:30

[21p-H112-1] III-V化合物半導体表面の微量金属汚染の定量分析

〇大野力一¹、嵯峨幸一郎¹ (1.ソニー)