12:00 〜 12:15 △ [21a-S422-10] サブ10 nmゲート長III-V nMOSFETにおけるソース・ドレイントンネル電流のチャネル電子有効質量依存性 〇(M1)片木 慎也1、大森 正規1、土屋 英昭1、小川 真人1 (1.神戸大工)