14:15 〜 14:30 [20p-H113-1] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)-デバイス作製工程の重金属汚染に対するゲッタリング能力- 〇栗田 一成1、奥山 亮輔1、柾田 亜由美1、門野 武1、廣瀬 諒1、古賀 祥泰1、奥田 秀彦1 (1.株式会社SUMCO)