09:30 〜 11:30 △ [21a-P2-17] TCADを用いたSiへのイオン注入とアニール効果 〇(B)広田 悠輝1、中口 陽介1、足立 拓磨1、高濱 滉太1、向井 浩二1、田中 武1 (1.広島工大)