15:45 〜 16:00 [20p-H101-10] 超高温酸化と急速冷却によるSiC-MOS 界面特性改善 〇染谷 満1,2、永井 大介1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.富士電機)