09:45 〜 10:00 [21a-H112-4] GaAs(111)A基板上のInGaAs成長に対するInAs界面層の効果 〇(M2)出来 亮太1、佐々木 拓生2、高橋 正光1,2 (1.兵庫県立大、2.原子力機構)