14:45 〜 15:00 △ [21p-W541-5] トレンチ構造をもつGaN縦型MOSFETの特性評価 〇(M1)篠倉 暁希1、徳田 博邦1、江戸 雅晴2、上野 勝典2、葛原 正明1 (1.福井大院工、2.富士電機)