森義暁

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発表者・著者、共著者

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S223 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

11:15 〜 11:30

△ [19a-S223-9] 横型Tunnel FET の閾値状態の定義についての考察

〇森義暁¹、佐藤伸吾¹、大村泰久¹ (1.関西大)