金胄男

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発表者・著者、共著者

2016年3月19日(土) 13:30 〜 15:30 P3 (屋内運動場)

一般セッション(ポスター講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P3-3] Characterization of sol-gel derived Nb doped ZrO₂ thin film

〇金胄男¹、Tokumitu Eisuke¹ (1.JAIST)