大竹博義

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発表者・著者、共著者

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S221 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

11:45 〜 12:00

[20a-S221-11] Al₂O₃キャップ層によるGeO脱離抑制と電気特性の評価

〇大竹博義¹ (1.東京農工大・工)