古賀祥泰

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発表者・著者、共著者

2016年3月20日(日) 14:15 〜 17:45 H113 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15:00 〜 15:15

[20p-H113-4] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（4）
ー常温接合界面における酸素の捕獲能力 ―

〇古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.（株）SUMCO)