廣瀬諒

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発表者・著者、共著者

2016年3月20日(日) 14:15 〜 17:45 H113 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15:30 〜 15:45

△ [20p-H113-6] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（6）
-多元素・分子イオン注入技術の開発検討-

〇廣瀬諒¹、奥山亮輔¹、門野武¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹、宮本直樹² (1.株式会社SUMCO、2.日新イオン機器株式会社)